一、影（yǐng）響蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）性（xìng）能的因素

蒸鍍基膜（mó）、蒸鍍方法、蒸鍍條件以（yǐ）及蒸鍍塗層的組成、蒸鍍（dù）層的厚度等，都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）的性能產生巨（jù）大的影響。

1.基材的選（xuǎn）擇性
如前所（suǒ）述，蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔（gé）性依靠（kào）於SiOx塗層，因此在蒸煮處理過程中，不能（néng）破壞該塗層。蒸鍍型（xíng）氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜通常（cháng）與其他薄膜複合，製（zhì）造蒸煮（zhǔ）薄膜，選（xuǎn）擇蒸（zhēng）煮基材應當注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍（dù）的氧化矽膜與塑料薄膜之間的黏合（hé）牢度與塑（sù）料基膜種類之間有較大的關係，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化矽（guī）間（jiān）的（de）黏合性（xìng）較佳（jiā），而非（fēi）極性的薄膜，與氧化矽間的黏合力則（zé）比（bǐ）較差。

（2)塑料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔（gé）性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上決定於氧化矽鍍層的均勻性。裂縫（féng）、針孔等缺欠，會導致蒸鍍型（xíng）氧（yǎng）化矽阻隔性包裝薄（báo）膜的（de）阻隔性明顯下降，缺陷的（de）形成除了（le）蒸鍍（dù）層（céng）本身的化學成分與結構之外，所用基膜的表麵平滑性，也是一個重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍缺陷，但適量的粗糙度會使蒸鍍層和（hé）基膜（mó）的表麵之間形成物理錨（máo）接，改善層（céng）間黏合力。

（3)塑料薄膜的表麵預處理狀況

為了得到優質的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的表麵電暈處理是十分（fèn）必要的（de）。塑料薄膜經（jīng）過表麵電暈處理，可在其表麵（miàn）形成氧化層（通過交聯、臭氧（yǎng）化、羧基化（huà）、硝基化等多種複雜的化學反應，將氧、氮等原子及原子團引入到塑料薄膜的表麵上），增（zēng）大基膜與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處理設備一定的情況下，如（rú）果預處理時間不足，表麵改性不充分，將導致基膜與塗層之間的結合（hé）牢度下降；預處理時間過長，可能引起基膜較深層次的界（jiè）麵弱化，產生基膜（mó）自身的弱界麵層，也會（huì）引起（qǐ）基材表麵和蒸鍍層間的結合力下降。

2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍（dù）型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜性能的影（yǐng）響

不論采用物理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸（zhēng）鍍工藝條件都可（kě）能對蒸鍍型氧化（huà）矽阻隔性（xìng）包裝薄膜的性能產生顯著的影響，因此應當盡可能采用有利於提高（gāo）蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件。

（1)采（cǎi）用物理蒸鍍時，

真空（kōng）度的高低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形（xíng）狀、真空室中氧氣導（dǎo）入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時間與蒸發功率）等均（jun1）會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利於SiO2的蒸發，製得的蒸鍍膜的質量（liàng）越高。

②蒸（zhēng）鍍時塑（sù）料基（jī）膜的溫度高，有利於蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的（de）塗層並有利於提高蒸鍍層與（yǔ）塑（sù）料基膜間的黏結度，因此適當提高塑料基膜的溫度，有利於提高（gāo）蒸（zhēng）鍍薄膜的質量。

③采用電子槍（qiāng）轟擊、蒸發SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因為粉狀的SiO2在受電子槍（qiāng）轟（hōng）擊時，易產（chǎn）生粉末濺（jiàn）射現象，影響蒸鍍（dù）膜的質（zhì）量，而（ér）粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸發。

④氧氣的導入速度影（yǐng）響蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值（zhí），氧的量（liàng）越（yuè）大，即x的值越大，蒸鍍層向透明性提高（gāo）的方向移動（dòng），但阻隔性有降低的趨勢。當x等於2時，得到阻（zǔ）隔性能差的、無色透（tòu）明的蒸鍍層，通常x控製在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔性及良好透明性的蒸鍍氧化矽薄（báo）膜。

蒸鍍層（céng）的厚度增加，蒸鍍膜的阻隔性增（zēng）加（jiā），但當蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸鍍層的厚度再進一（yī）步增大，蒸鍍膜的阻隔性基（jī）本保持不變，因（yīn）此不能指望依靠降低生產線的線速度（增加（jiā）蒸鍍時間）、增加蒸（zhēng）鍍層的厚度的辦法（fǎ），無限度地提高（gāo）蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍（dù）中，高頻電磁波或微波頻率（lǜ）的（de）選擇，應（yīng）與離子化（huà）氣（qì）氛中的離子化能量以（yǐ）及蒸鍍材料離（lí）子化所需要的能（néng）量相匹（pǐ）配，高頻電磁波一般選用13.56MHz,微波一（yī）般（bān）選用2.45MHz,真空度（dù）在10-2Pa左右即可（kě）獲得優良的蒸鍍效果，而物理蒸鍍時則需要更高（gāo）的真空（kōng）度，即10-2~10-3Pa或者（zhě）更高的真空（kōng）度。

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