蒸鍍氧化矽型阻隔性包裝薄膜的製備方法有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸（zhēng）鍍（CVC)兩大類。根據具體實施方法的不同（tóng），又有如下種種方法。阻隔膜生產設備

1.物理蒸鍍
物（wù）理蒸鍍亦稱物（wù）理氣相沉積法，包（bāo）括電阻絲蒸鍍、電（diàn）子束（shù）蒸鍍以及濺射等。其中電阻式蒸鍍（dù）和電子束蒸鍍需（xū）在高溫下使SiO2汽化，而濺射（shè）沉積應用單元素靶材濺射，具有沉積溫度低、沉積速率高、靶材不受限製、鍍（dù）膜質量（liàng）好的（de）
優點。

（1)電阻絲蒸鍍法

電阻絲蒸發鍍法是在真空室中（zhōng），用（yòng）電阻絲加熱SiO2,溫度可（kě）達1700℃,高溫及真空使SiO2以原子或分子的形態（tài）從其表麵汽化逸出，形成蒸氣流，該蒸氣流（liú）在基材（cái）表麵沉積，形成含SiOx鍍層的阻隔（gé）性包裝薄膜。

（2)電子束蒸發鍍膜法（fǎ）

電子束蒸發（fā）鍍膜法是將 SiO2放入水冷銅坩堝中，直接利用電子（zǐ）束加熱，使之（zhī）蒸發汽化，然後凝結在基材的表麵上形成含（hán）SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠比（bǐ）電阻（zǔ）加熱源更大的能量密度，蒸發溫度高（電子束加熱能量達20kW/c㎡,溫度更可達3000~6000℃),因而特別適合製作高熔點薄（báo）膜（mó）類材料和高純薄膜材料，而且能有較（jiào）高的蒸發速度。由於熱量可直接加到蒸鍍材料的表麵，因而熱效率高，熱傳導和熱輻射的損（sǔn）失少，所生產的SiOx阻隔性包裝薄膜的（de）阻隔性，較之電阻絲（sī）蒸鍍法生產的產品，也有顯著提高。

（3)濺射法

濺射法亦稱磁控濺射法或高速低（dī）溫濺射（shè）法。用單元素靶（bǎ）材濺（jiàn）射並倒入反應氣體進行的反應稱為反應（yīng）濺射，通過調節沉積工藝（yì）參（cān）數，可以製備（bèi）化學配比或非（fēi）化（huà）學配比的化合物（wù）薄膜，從（cóng）而達到通（tōng）過調節薄膜鍍（dù）層的組成來調控薄膜特性的目的。磁控濺射法與（yǔ）蒸發（fā）法相比，具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優（yōu）點。磁控濺射的其他優（yōu）點有設備簡單、操作方便等，在濺射鍍膜過程中，隻（zhī）要保持工作氣壓和濺射功率恒定，基本上即可獲得穩定的沉積速率。最大缺點是沉積速率相對（duì）較低，此（cǐ）外可能發生靶中毒、引起的打火和濺（jiàn）射過程不穩定以及膜的缺陷等，這些限製了它的應用，因此（cǐ）尚有待進一步改進。

2.化學蒸鍍（PECVD)
化學蒸鍍亦稱等離子體增強化學氣相沉積或等離子（zǐ）體聚合氣（qì）相沉積，是利用等離子體手段產生電子（zǐ）、離子及活性基團，在氣態或基體表麵進行化學反應。等離子體增強化學氣相（xiàng）沉積技（jì）術，利用射頻（RF)電源產生輝光（guāng）放電（射頻電源放電方式可以設置為連（lián）續放電方式或脈衝放電方式）或者微波（MW)放電（diàn）來離解反應氣體，形成等離子體，等離子體與基膜表麵（miàn）發生相互作用（yòng）並沉積成膜。穀吉（jí）海等曾在包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術的原（yuán）理、特點和應用及陶瓷（cí）膜蒸鍍技術的發展趨勢進行了展望。

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