一、影響蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝（zhuāng）薄膜性能的（de）因素

蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗層的組成（chéng）、蒸鍍（dù）層的厚度等（děng），都可能對（duì）蒸鍍（dù）型氧化矽阻隔性包裝薄膜的（de）性能產生巨大的影響，主要可以列舉如下。www.proease.com南京含羞草视频网站精工阻隔膜生產線
1.基材的選擇（zé）性
如前所述，蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性依靠於SiOx塗（tú）層，因（yīn）此在蒸煮處理過程中，不能破壞該塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性（xìng）包裝薄膜通常與其他薄膜複合，製造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材應當注意如（rú）下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍的氧化（huà）矽膜與塑料薄膜（mó）之間的黏合（hé）牢度與塑料基膜種類之間有（yǒu）較大的關係，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化（huà）矽間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化矽間（jiān）的黏合（hé）力則比較差。

（2)塑料（liào）薄膜（mó）表麵狀態

蒸鍍型氧化矽（guī）阻隔性包裝薄膜的（de）阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度（dù）影響（xiǎng）之外，更大（dà）程（chéng）度上（shàng）決定於氧（yǎng）化矽鍍層的均勻性。裂縫、針孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜的阻隔性明（míng）顯下降，缺陷（xiàn）的形成除了蒸鍍（dù）層本身（shēn）的化學成分與結（jié）構之外，所用基膜的表麵（miàn）平滑性，也是一個重（chóng）要因素，粗糙（cāo）度越大，越（yuè）容易造成蒸（zhēng）鍍缺陷，但適量的（de）粗糙度會使（shǐ）蒸鍍層和基（jī）膜的表麵（miàn）之間形（xíng）成物理錨接，改（gǎi）善層間黏合力（lì）。

（3)塑料薄膜的表麵預處理狀況

為了得到優質的蒸鍍薄膜，對基膜（mó）進行適度的表麵電暈處理是十分必要的。塑料（liào）薄膜經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種複（fù）雜的化學反應，將氧、氮等原子及原子團引入到塑料薄膜的表麵（miàn）上），增（zēng）大基膜與蒸鍍（dù）塗層之間的（de）結合力。在預處理設備一定的情況下，如果預處理時間不足，表麵（miàn）改性不充分（fèn），將導致基膜與塗層之間（jiān）的結合牢度下降；預（yù）處理時間過長，可能引起基膜較深層次（cì）的界麵弱化，產生基膜（mó）自身的弱界麵層，也會（huì）引（yǐn）起（qǐ）基材（cái）表麵和蒸（zhēng）鍍層間的（de）結合力下降。
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2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性能（néng）的影響

不論（lùn）采用物理蒸鍍或者化學蒸（zhēng）鍍，蒸鍍工藝條件都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產生顯著的影響，因此（cǐ）應當盡可能采用有利（lì）於提高蒸（zhēng）鍍薄膜阻隔性的（de）工（gōng）藝條件。

（1)采用物理蒸鍍時，

真空（kōng）度的高低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形（xíng）狀、真空室中氧氣導入的速（sù）度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時間與蒸發（fā）功率）等均會影響最終產品（pǐn）的性能。

①蒸鍍時真（zhēn）空度越高，越有利於SiO2的蒸發，製（zhì）得的蒸鍍膜（mó）的質（zhì）量越高。

②蒸鍍時（shí）塑料基膜（mó）的溫度高，有利於蒸發的SiO,在塑（sù）料基膜上沉積、形（xíng）成致密的塗層並（bìng）有（yǒu）利於提（tí）高蒸鍍層與塑料基膜間（jiān）的黏結度，因此適當（dāng）提（tí）高塑料（liào）基膜的溫（wēn）度（dù），有利於提高蒸鍍薄（báo）膜（mó）的質量。

③采用電子槍轟擊（jī）、蒸發SiO2時，宜使用塊（kuài）狀的SiO2,因為粉狀（zhuàng）的SiO2在受電子槍轟擊時，易產（chǎn）生粉末濺射現（xiàn）象，影響蒸鍍膜（mó）的質量，而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸（zhēng）發。

④氧氣的導入速度影響蒸鍍（dù）層的組成，即SiOx中Si原子（zǐ）數（shù）與0原子數（shù）的比值，氧的（de）量越大，即x的值越大，蒸鍍層向透明（míng）性提高的方向移動，但阻隔（gé）性有降（jiàng）低的趨勢（shì）。當x等於2時，得到阻隔性能差的、無色透明的蒸鍍層，通常x控製在1.5~1.8之間以獲得兼具（jù）高阻隔性及良好透明性的蒸（zhēng）鍍氧化矽薄膜。www.proease.com南京含羞草视频网站精工阻隔膜生（shēng）產（chǎn）線

蒸鍍層（céng）的厚度增加，蒸鍍膜的阻隔（gé）性增加（jiā），但當蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸鍍層的厚度（dù）再（zài）進一步增大，蒸鍍膜（mó）的（de）阻隔性基本保（bǎo）持不變，因此不能指望依靠降低生（shēng）產線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的厚度的（de）辦法（fǎ），無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波頻（pín）率的選擇，應與離子化氣氛（fēn）中的離子化（huà）能量以及蒸鍍材料離子化所需要的能量相匹配，高頻電磁波一般選用13.56MHz,微波（bō）一（yī）般選用2.45MHz,真空度在（zài）10-2Pa左右即可獲得優（yōu）良（liáng）的蒸（zhēng）鍍效果，而物理蒸鍍時則需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或（huò）者更高（gāo）的真空度（dù）。

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