一、影響蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性能的因素

蒸鍍基（jī）膜（mó）、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗層的（de）組成、蒸（zhēng）鍍層的厚度（dù）等，都可（kě）能對蒸（zhēng）鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產生巨（jù）大的影響（xiǎng），主要可以列舉如下。www.proease.com南（nán）京含羞草视频网站精工阻隔膜生產線

1.基材的選（xuǎn）擇性
如前所（suǒ）述，蒸鍍型氧化矽阻隔性包（bāo）裝薄膜的（de）阻隔性依（yī）靠於SiOx塗層，因此在蒸煮處理過程（chéng）中，不能破壞（huài）該塗層。蒸鍍型（xíng）氧化矽阻隔性（xìng）包裝薄膜通常與其他薄膜複合，製（zhì）造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材應當（dāng）注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍的氧化矽膜與塑料（liào）薄膜之間的黏合牢（láo）度與塑料基膜種類之間有較大的關係，PET、PVC等（děng）極性較大的薄膜與氧化（huà）矽間的（de）黏合（hé）性較佳（jiā），而非極性的薄膜，與氧化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻（zǔ）隔性包裝薄（báo）膜的阻隔性，除了（le）受蒸（zhēng）鍍（dù）層的厚度影響（xiǎng）之外，更大程度上決定於氧化矽鍍層的（de）均勻性。裂縫（féng）、針（zhēn）孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜的（de）阻隔性明顯下降，缺陷的形（xíng）成除了蒸鍍層本（běn）身（shēn）的化學成分與結構之外（wài），所用基膜的表（biǎo）麵平滑性，也（yě）是一個重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍缺陷，但適量（liàng）的粗糙度會使蒸鍍層和（hé）基（jī）膜的表（biǎo）麵之間形成物理錨接，改善（shàn）層間黏合（hé）力。

（3)塑料薄膜的表麵預處理（lǐ）狀況

為了得到優質（zhì）的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經（jīng）過表麵電暈處理，可（kě）在其表麵（miàn）形成氧化（huà）層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種複雜的化學反應，將氧、氮等原（yuán）子及原（yuán）子團引入到塑料薄膜的表麵上），增大基膜（mó）與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處（chù）理設備一定的情況下，如果預處理（lǐ）時間不足，表麵改性不充分，將導致基（jī）膜與塗層（céng）之間的結合牢度下降；預處理時間過長，可能引起基膜較（jiào）深層次的界麵（miàn）弱化，產生基膜自身的弱界麵層，也（yě）會引起（qǐ）基材表麵和蒸鍍層間（jiān）的結合力下（xià）降。
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2.蒸（zhēng）鍍工藝條件（jiàn）對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性能的（de）影響

不論采用物理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件都可能對蒸鍍（dù）型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產生顯著的影響，因此應當盡可能采用有利於提高蒸鍍薄膜（mó）阻隔性的工藝（yì）條（tiáo）件。

（1)采用物理蒸鍍時，

真空度的高低、基材薄膜的溫度、電（diàn）子槍的功率、蒸鍍原（yuán）料SiO2的形狀（zhuàng）、真（zhēn）空室中氧氣導入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時間與蒸發功率）等均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利（lì）於SiO2的蒸發，製得的蒸（zhēng）鍍膜的質量越（yuè）高。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度高，有利於蒸發（fā）的SiO,在（zài）塑料基膜上（shàng）沉積、形成致密的塗層並有（yǒu）利（lì）於（yú）提高蒸鍍層與塑料基膜（mó）間的黏結度，因此適當提高塑料基膜的（de）溫度，有利於提高蒸鍍薄膜的（de）質量。

③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜使（shǐ）用塊狀的SiO2,因為粉狀的SiO2在（zài）受電子槍轟擊時，易產（chǎn）生粉末（mò）濺（jiàn）射現象，影響蒸鍍膜的質量，而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸發。

④氧氣的導入速（sù）度影響（xiǎng）蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的量越大，即x的值越（yuè）大（dà），蒸鍍層向透明性提高的方向移動，但阻隔性有降低的趨勢。當x等於2時，得（dé）到阻隔性能差的（de）、無色（sè）透明（míng）的蒸鍍層，通常x控製（zhì）在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔（gé）性及良好透明性的蒸鍍氧（yǎng）化矽薄膜。www.proease.com南京含羞草视频网站精工阻隔膜生產線

蒸鍍層的厚度增加，蒸鍍（dù）膜的阻隔性增加，但當（dāng）蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸鍍層的厚度（dù）再進一步增大，蒸鍍膜的阻隔性基本（běn）保持不（bú）變，因此不能指望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層（céng）的厚（hòu）度的辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波（bō）頻率的選擇，應與離子化氣氛中的離子（zǐ）化能量以及蒸鍍材料離子化（huà）所需要（yào）的能量相匹配，高頻電磁波一（yī）般選用13.56MHz,微波一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可獲得優良的蒸鍍效果，而物理（lǐ）蒸鍍時（shí）則需要（yào）更高（gāo）的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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